電表面電荷密度被認為是促進TENG輸出產生的關鍵因素，可以通過TENG輸出直接反映出來。同時，表面電荷產生和維持是與環境密切相關的，例如光電檢測材料的照明條件。因此，表面電荷密度也可用于有源光電檢測。受到這種機制的啟發，2015年，Su等人設計了一個類似的自驅動光電探測器，整個裝置采用接觸分離類型的TENG。感光MAPb13-Ti0:層能在300至780 nm處具有吸收峰，這意味著該多層結構不僅可以檢測UV光，而且可以檢測可見光。此外，僅包含Ti0:層的對照樣品只能吸收UV光。當設備在100 W/cm2的太陽模擬器照射下操作時，輸出電壓直接從8V降低到約SV。當模擬器的開關關閉時，輸出電壓迅速恢復到8V。該光電探測器的機理主要是由于光誘導的表面電荷密度變化。這項工作說明了通過改變關鍵參數一表面電荷密度，結合TENG作為光電探測器的新機制。盡管鈣欽礦材料具有優異的光敏和寬帶光吸收，但其半導體特對于在其表面上保持高電荷密度是不利的。為了解決這個問題，Su等人，設計了一種基于錯欽酸鉛(PZT)薄膜的自供電紫外光電探測器。器件上部采用銅薄膜作為層和頂部電極，底部采用透明氟摻雜的氧化錫(FTO)作為底部電極薄膜同時作為UV光敏材料和層材料。觀察到所測量的導電率在有照度時是沒有照射的9倍，這導致表面電荷的泄漏。因此，一旦暴露在紫外光下，器件的短路電流明顯下降。