在半導體芯片、集成芯片的生產過程中，所有的電路器件都是要通過光刻工藝將電路布局結構印制在硅晶圓上的。光刻工藝完成的質量非常依賴硅晶圓的表面特性，硅晶圓表面的高低起伏、雜質污染都會造成光刻工藝的缺陷，甚至造成產品報廢，為了保證產品質量，化學機械拋光CMP成為了目前主流的拋光方法。而拋光液是完成CMP的主要力量

目前鉻離子拋光、銅離子拋光和二氧化硅膠體拋光這三種拋光方法都能投入使用，但最終獲得行業 地位的，只有二氧化硅膠體拋光，具體原因如下：

1、二氧化硅的硬度與硅的硬度相近

2、粒度細大約為90-110納米

因而拋光表面的損耗層極微小，能滿足大規模及超大規模集成電路的要求，因此，它已基本取代了另外的兩種化學機械拋光方法。

憑借這些優勢，二氧化硅膠體拋光不僅能對單晶硅片進行拋光，還能對層間介質、絕緣體、導體、鑲嵌金屬、多晶硅、硅氧化物溝道等材料進行平面化處理。在薄膜存貯磁盤、微電子機械系統陶瓷、磁頭、機械模具、精密閥門、光學玻璃、金屬材料等表面加工領域，也多有應用。目前，二氧化硅膠體拋光已成為應用最為廣泛的全局平面化技術，前景可謂一片大好。