日立ABB IGBT模塊,PNJ(派恩杰)碳化硅分立器件及模塊,Lite-On(光寶)光耦驅動,SCR功率薄膜電容等核心功率器件。
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產(chǎn)品品牌日立能源ABB
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更新日期2025-03-31 09:02
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品牌: |
日立能源ABB |
所在地: |
湖北 武漢市 |
起訂: |
≥1 只 |
供貨總量: |
99999 只 |
有效期至: |
長期有效 |
Vdrm: |
4500V |
ITGQM: |
4000A |
rT: |
0.58mΩ |
Asymmetric Gate turn-off Thyristor
5SGA 40L4501
VDRM = 4500 V
ITGQM = 4000 A
ITSM = 25×10 3 A
VT0 = 2.1 V
rT = 0.58 mW
VDclink = 2800 V
· 專利自由漂浮硅技術
· 低導通損耗和開關損耗
· 環(huán)形閘極
· 工業(yè)標準外殼
· 宇宙輻射耐受等級
門極可關斷晶閘管(GTO)的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種,可以通過門極施加反向電流使其關斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管,向門級反向施加電流便可關斷,反之則導通。
GTO 經(jīng)過優(yōu)化,傳導損耗很低。對于大多數(shù)應用,典型的開關頻率在 200 - 500 赫茲范圍內。GTO 本質上是相對較慢的開關。從開到關的典型轉換時間在 10 - 30 微秒范圍內,反之亦然。GTO 的導通和關斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡。導通緩沖器電路本質上是電感器,可以限制電流上升的速率。至于關斷,GTO 需要一個限制電壓上升速率的器件,從本質上來說就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上,而散熱器也當作電源端子的電觸點。
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